SISA34DN-T1-GE3-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

描述

该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID），在驱动电压条件下导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，适用于大功率电源转换、电池管理系统及高效率开关电路等场合。器件在高频工作状态下仍能保持较低的温升，有助于提升系统整体能效，并满足对紧凑布局和散热性能要求较高的电子设备需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SISA34DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263379

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.075克(g)