温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISA34DN-T1-GE3-HXY
SISA34DN-T1-GE3-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID），在驱动电压条件下导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，适用于大功率电源转换、电池管理系统及高效率开关电路等场合。器件在高频工作状态下仍能保持较低的温升，有助于提升系统整体能效，并满足对紧凑布局和散热性能要求较高的电子设备需求。
- 商品型号
- SISA34DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263379
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- SIR798DP-T1-GE3-HXY
- SIS496EDNT-T1-GE3-HXY
- SIS778DN-T1-GE3-HXY
- SMM2348ES-T1-GE3-HXY
- SI7792DP-T1-GE3-HXY
- NVD4810NT4G-VF01-HXY
- IRF8721TRPBF-1-HXY
- IRF8714TRPBF-1-HXY
- BSZ0910LSATMA1-HXY
- BSZ0911LSATMA1-HXY
- AON7530
- FDMC3020DC-P-HXY
- PCF8896W-HXY
- FDS8876-F40-HXY
- AMR430N-HXY
- IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY
- NTMFS5C426NT1G-HXY
- NVMFS5C426NAFT1G-HXY
- IPC100N04S51R2ATMA1-HXY
- NVMFS5C426NWFET1G-HXY
- NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY