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SIR798DP-T1-GE3-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，栅源电压额定值为20V。其极低的导通电阻显著降低导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源管理、直流-直流转换及高功率负载开关等应用。器件在高频工作条件下仍能保持良好的开关特性与热性能，适合集成于对功率密度和散热有严苛要求的紧凑型电子系统中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIR798DP-T1-GE3-HXY
商品编号: C53263380
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.148克(g)

商品参数

参数完善中