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SIR798DP-T1-GE3-HXY
SIR798DP-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，栅源电压额定值为20V。其极低的导通电阻显著降低导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源管理、直流-直流转换及高功率负载开关等应用。器件在高频工作条件下仍能保持良好的开关特性与热性能，适合集成于对功率密度和散热有严苛要求的紧凑型电子系统中。
- 商品型号
- SIR798DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263380
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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