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AON7556
N沟道增强型MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9mΩ，在标准工作条件下可有效控制导通损耗。适用于中等功率的电源管理、负载开关、电机驱动及高频DC-DC转换等电路场景，其电气特性有助于维持系统运行的稳定性与效率，同时对热设计提出较低要求。
- 商品型号
- AON7556
- 商品编号
- C53263374
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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