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AO4446
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于在开关和导通状态下减少功率损耗，提升系统效率。适用于对体积和能耗敏感的电源管理模块、便携式电子设备以及中等功率的开关电路。器件在高频操作下表现出良好的稳定性，适合用于需要高效能与紧凑设计相结合的电子系统中。
- 商品型号
- AO4446
- 商品编号
- C53263377
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
参数完善中
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