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BSC079N03LSCGATMA1-HXY实物图
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BSC079N03LSCGATMA1-HXY

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描述
该N沟道MOSFET具有50A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为30V,导通电阻低至6.5毫欧,在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗,提升整体效率,适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及开关电路等场景。器件结构优化了开关特性,在高频操作下仍能保持良好的动态响应,适合用于紧凑型高效率电子系统中。
商品型号
BSC079N03LSCGATMA1-HXY
商品编号
C53263375
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.139克(g)

商品参数

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参数完善中

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