NVTFS4C08NTAG-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于对电流承载能力和开关性能要求较高的电源管理、电机驱动及高频开关电路等应用场景。器件采用标准封装形式，便于在紧凑型设计中集成，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFS4C08NTAG-HXY
商品编号: C53263369
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.071克(g)

商品参数