AOD528

AOD528

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。器件在高电流条件下表现出优异的导通性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与开关应用。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统整体能效，适合用于各类高频率、大电流的电子电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOD528

商品编号

C53263372

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.384克(g)