NVTFS4C08NWFTWG-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻、低栅极电荷，适用于电池保护和开关应用

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描述: 该N沟道MOSFET具备55A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为4.7毫欧。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类直流-直流转换电路。其电气特性适合需要快速开关响应与高效功率处理的场合，在紧凑型电子设备中可实现良好的热性能与稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFS4C08NWFTWG-HXY
商品编号: C53263370
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.069克(g)

商品参数