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NVTFS4824NWFTWG-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。器件在高电流应用中表现出优异的导通性能与功率效率，适用于对开关速度和导通损耗有较高要求的电源管理、电机驱动及高效能转换系统。其低导通电阻有助于减少发热，提升整体系统稳定性与能效表现。
- 商品型号
- NVTFS4824NWFTWG-HXY
- 商品编号
- C53263368
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
参数完善中
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