NVTFS4823NWFTWG-HXY

NVTFS4823NWFTWG-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧，适用于中等功率的开关应用。其较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，在电源转换、电机控制及高频开关电路中可实现稳定运行。器件支持高效热管理，适合对体积和效率有要求的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVTFS4823NWFTWG-HXY

商品编号

C53263366

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.069克(g)