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NVTFS4823NWFTWG-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧，适用于中等功率的开关应用。其较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，在电源转换、电机控制及高频开关电路中可实现稳定运行。器件支持高效热管理，适合对体积和效率有要求的电子系统。
- 商品型号
- NVTFS4823NWFTWG-HXY
- 商品编号
- C53263366
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
参数完善中
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