NVTFS4824NWFTAG-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻、低栅极电荷，适用于电池保护和开关应用

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。其优异的导通特性可有效降低功率损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频率的开关场景，如电源管理模块、电机驱动电路及各类高效能电子设备中的功率转换环节。器件在大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFS4824NWFTAG-HXY
商品编号: C53263367
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.067克(g)

商品参数