NVTFS4824NWFTAG-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管(MOSFET)具有70A的连续漏极电流(ID)和30V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))低至3.5毫欧。其优异的导通特性可有效降低功率损耗,提升系统效率,适用于高电流、高频率的开关场景,如电源管理模块、电机驱动电路及各类高效能电子设备中的功率转换环节。器件在大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。
- 商品型号
- NVTFS4824NWFTAG-HXY
- 商品编号
- C53263367
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
参数完善中
