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AO4578
AO4578
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的最大连续漏极电流（ID），在导通状态下其导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧，适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景。器件栅源电压（VGS）额定值为±20V，确保在宽驱动电压范围内稳定工作。凭借低导通损耗与高电流承载能力，该MOSFET可有效支持各类开关电源、负载开关及功率转换模块中的高效能需求。
- 商品型号
- AO4578
- 商品编号
- C53263359
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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