AO4578

AO4578

描述

该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的最大连续漏极电流（ID），在导通状态下其导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧，适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景。器件栅源电压（VGS）额定值为±20V，确保在宽驱动电压范围内稳定工作。凭借低导通损耗与高电流承载能力，该MOSFET可有效支持各类开关电源、负载开关及功率转换模块中的高效能需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AO4578

商品编号

C53263359

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.122克(g)