FDMC7692S-F126-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管(MOSFET)具有35A的连续漏极电流(ID)、30V的漏源击穿电压(VDSS)以及7.5毫欧的导通电阻(RDS(ON))。其参数组合适用于中等功率的开关应用场景,能够在保持较低导通损耗的同时,支持较高的电流负载。器件适合用于电源模块、电动工具控制电路及各类高效能电子系统中,为高密度电路设计提供可靠的开关性能与热稳定性。
- 商品型号
- FDMC7692S-F126-HXY
- 商品编号
- C53263361
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
参数完善中
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