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AON7538
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和60A的最大连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）仅为4毫欧，显著降低导通损耗。其低阻抗特性使其在高电流开关应用中表现出优异的能效与热稳定性。适用于需要高效功率处理能力的场合，如电源转换、电池管理系统及各类高密度功率模块，能够支持频繁开关操作并维持较低温升。
- 商品型号
- AON7538
- 商品编号
- C53263360
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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