DKI03038-HXY

DKI03038-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗相结合，适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场合。器件结构优化了开关特性，在高频工作条件下仍能保持稳定性能，适合用于电源管理、电机驱动及各类高效能电子系统中的功率开关应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DKI03038-HXY

商品编号

C53263357

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.377克(g)