温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFHM8326TRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流密度的电源管理、电池充放电控制及电机驱动等应用。在高频开关条件下，器件表现出良好的开关特性与热稳定性，适合用于对体积和散热要求较高的紧凑型电子设备中，满足高效能量转换的需求。
- 商品型号
- IRFHM8326TRPBF-HXY
- 商品编号
- C53263351
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- DMG7702SFG-13-HXY
- DMS3012SFG-13-HXY
- SUD42N03-3M9P-GE3-HXY
- SIRA34DP-T1-GE3-HXY
- IRFHM8330TRPBF-HXY
- DKI03038-HXY
- DKI03082-HXY
- AO4578
- AON7538
- FDMC7692S-F126-HXY
- NTMFS4983NFT1G-HXY
- NTMFS4983NFT3G-HXY
- NTTFS4C08NTWG-HXY
- NTTFS4C13NTWG-HXY
- NVTFS4823NWFTWG-HXY
- NVTFS4824NWFTAG-HXY
- NVTFS4824NWFTWG-HXY
- NVTFS4C08NTAG-HXY
- NVTFS4C08NWFTWG-HXY
- NVMFS4C03NT3G-HXY
- AOD528
- DMG7702SFG-13-HXY
- DMS3012SFG-13-HXY
- SUD42N03-3M9P-GE3-HXY
- SIRA34DP-T1-GE3-HXY
- IRFHM8330TRPBF-HXY
- DKI03038-HXY
- DKI03082-HXY
- AO4578
- AON7538
- FDMC7692S-F126-HXY
- NTMFS4983NFT1G-HXY
- NTMFS4983NFT3G-HXY
- NTTFS4C08NTWG-HXY
- NTTFS4C13NTWG-HXY
- NVTFS4823NWFTWG-HXY
- NVTFS4824NWFTAG-HXY
- NVTFS4824NWFTWG-HXY
- NVTFS4C08NTAG-HXY
- NVTFS4C08NWFTWG-HXY
- NVMFS4C03NT3G-HXY
- AOD528