SIRA34DP-T1-GE3-HXY

SIRA34DP-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧。器件在高电流负载下表现出优异的导通性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与开关应用。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统整体能效，适合用于各类中低压电力电子电路中，作为高效开关元件实现稳定可靠的运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIRA34DP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263355

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.143克(g)