IRFHM8330TRPBF-HXY

IRFHM8330TRPBF-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在高电流应用中显著降低功率损耗，提升系统效率。适用于中低压电源转换、电池供电设备、电机驱动及各类高效开关电路，在要求高可靠性和良好热性能的电子系统中可实现稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRFHM8330TRPBF-HXY

商品编号

C53263356

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)