AON7752

AON7752

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至6毫欧，在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关特性，能够在高频率下保持良好的动态响应，适合用于紧凑型电子系统中的高效能量转换与控制。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AON7752

商品编号

C53263350

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)