AON7752

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至6毫欧，在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关特性，能够在高频率下保持良好的动态响应，适合用于紧凑型电子系统中的高效能量转换与控制。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AON7752
商品编号: C53263350
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.069克(g)

商品参数