温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOD208
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高密度功率模块等场景。器件在大电流工作条件下仍能保持较低温升，有助于提升系统整体可靠性与能效表现。
- 商品型号
- AOD208
- 商品编号
- C53263344
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |