AOD208
AOD208
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- 描述
- 该N沟道场效应管(MOSFET)具有120A的连续漏极电流(ID)和30V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))低至3毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性,使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高密度功率模块等场景。器件在大电流工作条件下仍能保持较低温升,有助于提升系统整体可靠性与能效表现。
- 商品型号
- AOD208
- 商品编号
- C53263344
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
参数完善中
