AON7402

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。较低的导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗，提升整体能效。其电气特性适用于需要高效开关性能和良好热稳定性的场合，如电源转换模块、电机控制电路及各类高频率开关应用。器件在紧凑布局中仍可维持可靠运行，适合对空间和效率有要求的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AON7402

商品编号

C53263347

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)