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FDMC8026S-HXY
FDMC8026S-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4毫欧。低导通电阻有助于在大电流应用中显著降低功率损耗与发热，提升系统整体效率。适用于高频率开关电源、电池供电设备、电机控制及各类需要高效能功率转换的电子系统，能够稳定支持持续高负载运行与快速开关操作。
- 商品型号
- FDMC8026S-HXY
- 商品编号
- C53263339
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
参数完善中