FDMC8026S-HXY

FDMC8026S-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4毫欧。低导通电阻有助于在大电流应用中显著降低功率损耗与发热，提升系统整体效率。适用于高频率开关电源、电池供电设备、电机控制及各类需要高效能功率转换的电子系统，能够稳定支持持续高负载运行与快速开关操作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDMC8026S-HXY

商品编号

C53263339

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)