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AOD518
AOD518
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为3.8毫欧。其极低的RDS(ON)有效降低了导通状态下的功率损耗，适合用于高电流、高效率要求的电源管理场景。典型应用包括服务器电源、高性能计算设备中的多相VRM模块、电池管理系统以及大功率负载开关等场合。器件在高频开关条件下仍能保持良好的热性能和稳定性，有助于提升整体系统能效与可靠性。
- 商品型号
- AOD518
- 商品编号
- C53263342
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |