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AO4718

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描述
该N沟道场效应管(MOSFET)具有15A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为30V,导通电阻低至7.5毫欧。其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗,在高效率电源转换和功率管理电路中表现优异。适用于对开关速度和能效有较高要求的电子系统,如便携式设备、计算平台及各类消费类电子产品中的负载开关或同步整流应用。器件结构支持良好的热稳定性和可靠性,便于在紧凑型设计中实现高效散热与空间优化。
商品型号
AO4718
商品编号
C53263341
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.122克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V
耗散功率(Pd)15W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)6nC
属性参数值
输入电容(Ciss)983pF
反向传输电容(Crss)109pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)147pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF