AO4718
AO4718
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- 描述
- 该N沟道场效应管(MOSFET)具有15A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为30V,导通电阻低至7.5毫欧。其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗,在高效率电源转换和功率管理电路中表现优异。适用于对开关速度和能效有较高要求的电子系统,如便携式设备、计算平台及各类消费类电子产品中的负载开关或同步整流应用。器件结构支持良好的热稳定性和可靠性,便于在紧凑型设计中实现高效散热与空间优化。
- 商品型号
- AO4718
- 商品编号
- C53263341
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
