DMS3012SFG-7-HXY

DMS3012SFG-7-HXY

描述

该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为35A，漏源电压（VDSS）额定值为30V，导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。在中等电流应用场景下，其较低的导通电阻有助于有效控制导通损耗，维持器件温升在合理范围内。适用于开关电源、便携式设备供电系统、电机驱动及各类需要高效功率开关功能的电子装置，能够支持稳定可靠的高频开关操作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMS3012SFG-7-HXY

商品编号

C53263340

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.068克(g)