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NVTFS4824NTWG-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET支持70A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5mΩ。凭借其超低导通电阻，器件在大电流工作条件下能有效抑制功率损耗和温升，适用于高效率电源管理、同步整流、电机驱动及电池供电系统等场合。其电气特性适合需要频繁开关操作和紧凑布局的电子设备，有助于提升整体系统性能与可靠性。
- 商品型号
- NVTFS4824NTWG-HXY
- 商品编号
- C53263338
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |