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NVTFS4824NTAG-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为3.5mΩ，适用于高效率、大电流的开关应用场景。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在电源转换、同步整流及高密度功率模块等电路中可有效提升系统能效与热性能。器件结构设计支持快速开关操作，适合对动态响应和功率密度有较高要求的电子设备。
- 商品型号
- NVTFS4824NTAG-HXY
- 商品编号
- C53263337
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |