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SIS456DN-T1-GE3-HXY
SIS456DN-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关电源等应用场合。器件结构支持高电流承载能力，在高频开关操作中仍能保持稳定性能，适合需要高效能与紧凑设计的电子系统。
- 商品型号
- SIS456DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263318
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073克(g)
商品参数
参数完善中
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