SIS456DN-T1-GE3-HXY

SIS456DN-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关电源等应用场合。器件结构支持高电流承载能力，在高频开关操作中仍能保持稳定性能，适合需要高效能与紧凑设计的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIS456DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263318

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.073克(g)