DMG8880LK3-13-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低导通损耗，提升整体能效。器件适用于开关电源、电机驱动、电池保护及高密度功率转换等应用场合，在高频开关操作中表现出良好的动态特性和热稳定性，适合对效率和空间有较高要求的电子系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMG8880LK3-13-HXY
商品编号: C53263323
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.37克(g)

商品参数