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SI4384DY-T1-GE3-HXY
SI4384DY-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为15A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于对体积和热管理有较高要求的电源转换、电池供电设备及高频开关电路中，能够在有限空间内实现稳定可靠的开关性能。
- 商品型号
- SI4384DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263324
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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