SI7440DP-T1-E3-HXY

SI7440DP-T1-E3-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻可有效降低导通状态下的功率损耗，适用于高效率、大电流的开关应用场景。典型用途包括直流电源管理、电机控制、电池充放电电路及各类需要低损耗功率开关的电子系统，能够在频繁开关和持续负载条件下保持稳定性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI7440DP-T1-E3-HXY

商品编号

C53263330

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.144克(g)