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SI7388DP-T1-E3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。其低导通电阻有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于各类中低电压开关电路中，如直流-直流转换器、负载开关及电池供电设备中的功率控制模块。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI7388DP-T1-E3-HXY
商品编号: C53263328
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.143克(g)

商品参数

参数完善中