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SI4884BDY-T1-GE3-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有要求的电子设备。典型应用场景包括开关电源、便携式设备的电源管理、电机驱动及各类需要高效开关操作的电路中，能够在高频率工作条件下保持稳定可靠的性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI4884BDY-T1-GE3-HXY
商品编号: C53263327
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.122克(g)

商品参数

参数完善中