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SI4884BDY-T1-E3-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为15A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。凭借较低的导通电阻，器件在导通状态下功耗较小，有助于提升整体能效。适用于需要高效功率开关的场合，如电源管理模块、电池供电设备及各类电子负载控制电路，能够在频繁开关条件下保持稳定工作性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI4884BDY-T1-E3-HXY
商品编号: C53263326
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.123克(g)

商品参数

参数完善中