NTD4965NT4G-HXY

NTD4965NT4G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频开关场景，如电源转换、电池管理系统及大功率负载控制等应用，能够在持续大电流工作条件下保持良好的热性能与电气稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTD4965NT4G-HXY

商品编号

C53263321

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.377克(g)