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NTD4965NT4G-HXY
NTD4965NT4G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频开关场景，如电源转换、电池管理系统及大功率负载控制等应用，能够在持续大电流工作条件下保持良好的热性能与电气稳定性。
- 商品型号
- NTD4965NT4G-HXY
- 商品编号
- C53263321
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
参数完善中
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