IRLR8729TRLPBF-HXY

IRLR8729TRLPBF-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。器件适用于高效率电源转换、电池管理系统及各类中低压功率开关场景，其低导通损耗有助于提升系统整体能效，并在大电流工作条件下保持较低温升，确保稳定可靠的运行性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRLR8729TRLPBF-HXY

商品编号

C53263316

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.38克(g)