SI7784DP-T1-GE3-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，栅源电压（VGS）额定值为20V。其低导通电阻有助于在大电流应用中有效抑制功率损耗和温升，适用于高效率直流开关电路、同步整流结构以及对热性能要求较高的电源管理模块，能够支持紧凑型高功率密度设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI7784DP-T1-GE3-HXY
商品编号: C53263295
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.137克(g)

商品参数