BUK724R5-30C-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源管理场景。器件结构支持高电流承载能力，在开关频率较高的应用中仍能保持稳定工作特性，适合用于各类高效能电子设备中的功率转换与控制环节。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BUK724R5-30C-HXY
商品编号: C53263312
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.382克(g)

商品参数