IRFH5306TRPBF-HXY

IRFH5306TRPBF-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减小导通损耗，提高系统效率。该器件适用于对能效和热管理有较高要求的电源管理应用，如开关电源、电池供电设备及高密度功率转换模块，在频繁开关操作中可保持稳定可靠的电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRFH5306TRPBF-HXY

商品编号

C53263309

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.139克(g)