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NTD4905NT4G-HXY
NTD4905NT4G-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备100A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，导通电阻仅为3.8毫欧。其极低的RDS(ON)有效降低导通损耗，在大电流开关应用中维持较低温升。适用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动及各类高功率密度的电子设备中，能够支持频繁开关操作并保持稳定性能。
- 商品型号
- NTD4905NT4G-HXY
- 商品编号
- C53263305
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
参数完善中
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