NTD4909NT4G-HXY

NTD4909NT4G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。器件结构支持高电流承载能力，在开关电源、电池管理系统及各类高效能电子设备中可实现稳定可靠的开关操作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTD4909NT4G-HXY

商品编号

C53263307

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.393克(g)