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NTD4909NAT4G-HXY
NTD4909NAT4G-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至7毫欧。其低RDS(ON)有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低的温升。适用于高效电源转换、电池供电系统、电动工具以及对功率密度和热性能有较高要求的电子设备中，能够支持稳定可靠的开关操作。
- 商品型号
- NTD4909NAT4G-HXY
- 商品编号
- C53263306
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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