STD75N3LLH6-HXY

STD75N3LLH6-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高密度功率模块等场景。器件在大电流工作状态下仍能保持较低的温升，有助于提升系统整体可靠性与能效表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD75N3LLH6-HXY

商品编号

C53263303

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.382克(g)