SPD50N03S207GBTMA1-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通损耗，提升能效表现，适用于对电流承载能力和热性能要求较高的功率转换场合。其电气特性支持在高频开关条件下稳定运行，适合用于高密度电源模块、便携式设备供电系统及其它需要高效功率管理的电子装置中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SPD50N03S207GBTMA1-HXY
商品编号: C53263299
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.38克(g)

商品参数