BSC050N03MSGATMA1-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在导通状态下呈现低至4.3mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件结构优化了导通与开关性能，在高电流应用中可有效降低功耗与温升。适用于对效率和热管理要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景，其低阻特性有助于提升系统整体能效与稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSC050N03MSGATMA1-HXY
商品编号: C53263283
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数