BSC050N03MSGATMA1-HXY

BSC050N03MSGATMA1-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在导通状态下呈现低至4.3mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件结构优化了导通与开关性能，在高电流应用中可有效降低功耗与温升。适用于对效率和热管理要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景，其低阻特性有助于提升系统整体能效与稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSC050N03MSGATMA1-HXY

商品编号

C53263283

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)