IRLR7821TRLPBF-HXY

IRLR7821TRLPBF-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。其低RDS(ON)特性有助于减少发热，提升系统整体能效，在高频开关应用中表现出良好的动态性能与稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRLR7821TRLPBF-HXY

商品编号

C53263287

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391克(g)