FDMC8296-HXY

FDMC8296-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在高电流条件下减少导通损耗，提升系统效率。适用于开关电源、电池供电设备、电机驱动及高频功率转换等应用场合，能够在紧凑型电路设计中实现良好的热性能与电气稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDMC8296-HXY

商品编号

C53263291

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)