BSC057N03MSGATMA1-HXY

BSC057N03MSGATMA1-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ，栅源电压（VGS）最高支持20V。其低导通电阻有助于在大电流工作条件下显著减少功率损耗，提升系统效率。适用于高效率电源管理、电机控制、电池供电设备及各类需要频繁开关操作的电子系统，能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSC057N03MSGATMA1-HXY

商品编号

C53263284

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.139克(g)