BSC057N03MSGATMA1-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ，栅源电压（VGS）最高支持20V。其低导通电阻有助于在大电流工作条件下显著减少功率损耗，提升系统效率。适用于高效率电源管理、电机控制、电池供电设备及各类需要频繁开关操作的电子系统，能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSC057N03MSGATMA1-HXY
商品编号: C53263284
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.139克(g)

商品参数