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BSZ088N03MSGATMA1-HXY
BSZ088N03MSGATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6mΩ，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件在中等电流水平下保持较低的导通损耗，适合对能效和热管理有一定要求的应用场景。常用于电源转换模块、便携式设备供电系统、电机驱动电路以及高频开关应用中，能够在保证电气性能的同时支持紧凑型电路设计。
- 商品型号
- BSZ088N03MSGATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263285
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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