SI4384DY-T1-E3-HXY

SI4384DY-T1-E3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减小功率损耗，提升系统效率，适用于中等电流水平的开关应用。该器件可广泛用于电源管理模块、便携式设备供电系统、电机控制及各类对体积与能效有要求的电子装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI4384DY-T1-E3-HXY

商品编号

C53263282

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.122克(g)